O que é Extrema Litografia Ultravioleta (EUV). Pode esta tecnologia resolver os limites da Lei de Moore num circuito de silício?
A litografia EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) é uma tecnologia que tem a finalidade de produzir circuitos integrados (como processadores) para resolver os limites dos materiais de silício. Esta tecnologia usa uma luz ultravioleta do comprimento de onda extremamente curto de 13,5 nm. A exposição a esta luz permite criar circuitos integrados abaixo de 20 manómetros (nm) que não pode ser exposto pela litografia óptica convencional usando um laser excimer ArF.
Entre essas tecnologias de elementos, o maior desafio é a tecnologia que gera um poderoso feixe de luz EUV com comprimento de onda extremamente curto de 13,5 nm, que pode ser retirado do plasma de alta temperatura e alta densidade. Existem dois métodos são usados para produzir plasma: o método LPP (Laser-Produced Plasma), que produz plasma através da condensação de um forte feixe de laser num material, e o método Discharge-Produced Plasma (DPP), que produz plasma por alta corrente que descarga elétrodos na atmosfera de certos materiais. O feixe EUV que sai do plasma é coletado pelo espelho de condensação, passa por um ponto chamado foco intermediário (IF) e ilumina uma máscara do tipo reflexão depois de ter sido remodelada pela óptica de iluminação. O feixe EUV refletido pela máscara é exposto pela ótica da projeção para formar um padrão foto resistente que é revestido em uma superfície de uma wafer.
Atualmente, a tecnologia litográfica EUV ainda está em desenvolvimento, mas espera-se que seja colocado em uso prático dentro de alguns anos, embora a fonte de luz EUV usada para produção de alto volume de circuitos integrados requer um grande aprimoramento da potência de saída e alta confiabilidade que permite uma operação ininterrupta sem manutenção durante vários meses.
______________________________________________________________________
ENGLISH
What is Extreme Ultraviolet Lithography (EUV). Can this technology solve the limits of Moore's Law in a silicon chip?
EUV lithography (Extreme Ultraviolet Lithography) is a technology that aims to produce integrated circuits (such as processors) to solve the limits of silicon materials. This technology uses an ultraviolet light of an extremely short wavelength of 13.5 nm. Exposure to this light allows the creation of integrated circuits below 20 nanometers (nm) that cannot be exposed by conventional optical lithography using an excimer ArF laser.
Among these element technologies, the biggest challenge is the technology that generates a powerful EUV light beam with an extremely short wavelength of 13.5 nm, which can be removed from high-temperature, high-density plasma. There are two methods used to produce plasma: the LPP (Laser-Produced Plasma) method, which produces plasma by condensing a strong laser beam on a material, and the Discharge-Produced Plasma (DPP) method, which produces plasma by high current that discharges electrodes into the atmosphere of certain materials. The EUV beam that leaves the plasma is collected by the condensation mirror, passes through a point called intermediate focus (IF) and illuminates a reflection-type mask after being remodeled by the lighting optics. The EUV beam reflected by the mask is exposed by the projection optics to form a pattern in the photoresist that is coated on a wafer surface.
Currently, EUV lithographic technology is still under development, but is expected to be put into practical use within a few years, although the EUV light source used for high-volume production of integrated circuits requires a major improvement in output power and high reliability that allows uninterrupted maintenance-free operation for several months.
______________________________________________________________________
FRENCH | FRANÇAIS
Qu'est-ce que la lithographie ultraviolette extrême (EUV). Cette technologie peut-elle résoudre les limites de la loi de Moore dans une puce de silicium?
La lithographie EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) est une technologie qui vise à produire des circuits intégrés (tels que des processeurs) pour résoudre les limites des matériaux en silicium. Cette technologie utilise une lumière ultraviolette d'une longueur d'onde extrêmement courte de 13,5 nm. L'exposition à cette lumière permet la création de circuits intégrés inférieurs à 20 nanomètres (nm) qui ne peuvent pas être exposés par lithographie optique conventionnelle à l'aide d'un laser excimer ArF.
Parmi ces technologies d'éléments, le plus grand défi est la technologie qui génère un puissant faisceau de lumière EUV avec une longueur d'onde extrêmement courte de 13,5 nm, qui peut être retiré du plasma haute température et haute densité. Il existe deux méthodes pour produire du plasma: la méthode LPP (Laser-Produced Plasma), qui produit du plasma en condensant un faisceau laser puissant sur un matériau, et la méthode Discharge-Produced Plasma (DPP), qui produit du plasma par un courant élevé qui décharge des électrodes dans l'atmosphère de certains matériaux. Le faisceau EUV qui quitte le plasma est collecté par le miroir de condensation, passe par un point appelé foyer intermédiaire (IF) et illumine un masque de type réflexion après avoir été remodelé par l'optique d'éclairage. Le faisceau EUV réfléchi par le masque est exposé par l'optique de projection pour former un motif dans la résine photosensible qui est appliqué sur une surface de tranche.
Actuellement, la technologie lithographique EUV est toujours en cours de développement, mais devrait être mise en pratique dans quelques années, bien que la source lumineuse EUV utilisée pour la production à haut volume de circuits intégrés nécessite une amélioration majeure de la puissance de sortie et une grande fiabilité qui permet fonctionnement sans entretien sans interruption pendant plusieurs mois.
______________________________________________________________________
SPANISH | ESPAÑOL
Qué es la litografía ultravioleta extrema (EUV). ¿Puede esta tecnología resolver los límites de la Ley de Moore en un chip de silicio?
La litografía EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) es una tecnología que tiene como objetivo producir circuitos integrados (como procesadores) para resolver los límites de los materiales de silicio. Esta tecnología utiliza una luz ultravioleta de una longitud de onda extremadamente corta de 13.5 nm. La exposición a esta luz permite la creación de circuitos integrados por debajo de 20 nanómetros (nm) que no pueden ser expuestos por la litografía óptica convencional utilizando un láser excimer ArF.
Entre estas tecnologías de elementos, el mayor desafío es la tecnología que genera un potente haz de luz EUV con una longitud de onda extremadamente corta de 13.5 nm, que puede eliminarse del plasma de alta temperatura y alta densidad. Hay dos métodos utilizados para producir plasma: el método LPP (plasma producido por láser), que produce plasma mediante la condensación de un haz láser fuerte en un material, y el método de plasma producido por descarga (DPP), que produce plasma por alta corriente que descarga electrodos a la atmósfera de ciertos materiales. El haz de EUV que sale del plasma es recogido por el espejo de condensación, pasa a través de un punto llamado foco intermedio (IF) e ilumina una máscara de tipo reflejo después de ser remodelado por la óptica de iluminación. El haz de EUV reflejado por la máscara es expuesto por la óptica de proyección para formar un patrón en la fotorresistencia que está recubierta sobre una superficie de oblea.
Actualmente, la tecnología litográfica EUV todavía está en desarrollo, pero se espera que se ponga en práctica en unos pocos años, aunque la fuente de luz EUV utilizada para la producción de alto volumen de circuitos integrados requiere una mejora importante en la potencia de salida y una alta fiabilidad que permite Operación ininterrumpida sin mantenimiento durante varios meses.
_______________________________________________________________________
GERMAN | DEUTSCHE
Was ist extreme Ultraviolettlithographie (EUV)? Kann diese Technologie die Grenzen des Moore'schen Gesetzes in einem Siliziumchip lösen?
Die EUV-Lithographie (Extreme Ultraviolet Lithography) ist eine Technologie, die darauf abzielt, integrierte Schaltkreise (wie Prozessoren) herzustellen, um die Grenzen von Siliziummaterialien zu lösen. Diese Technologie verwendet ultraviolettes Licht mit einer extrem kurzen Wellenlänge von 13,5 nm. Die Belichtung mit diesem Licht ermöglicht die Erzeugung integrierter Schaltkreise unter 20 Nanometern (nm), die mit herkömmlicher optischer Lithographie unter Verwendung eines Excimer-ArF-Lasers nicht belichtet werden können.
Unter diesen Elementtechnologien ist die größte Herausforderung die Technologie, die einen starken EUV-Lichtstrahl mit einer extrem kurzen Wellenlänge von 13,5 nm erzeugt, der aus Hochtemperaturplasma mit hoher Dichte entfernt werden kann. Es gibt zwei Methoden zur Erzeugung von Plasma: die LPP-Methode (Laser-Produced Plasma), bei der Plasma durch Kondensation eines starken Laserstrahls auf einem Material erzeugt wird, und die DPP-Methode (Discharge-Produced Plasma), bei der Plasma durch Hochstrom erzeugt wird entlädt Elektroden in die Atmosphäre bestimmter Materialien. Der EUV-Strahl, der das Plasma verlässt, wird vom Kondensationsspiegel gesammelt, passiert einen Punkt, der als Zwischenfokus (IF) bezeichnet wird, und beleuchtet eine Reflexionsmaske, nachdem er von der Beleuchtungsoptik umgestaltet wurde. Der von der Maske reflektierte EUV-Strahl wird von der Projektionsoptik belichtet, um im Fotolack ein Muster zu bilden, das auf eine Waferoberfläche aufgetragen ist.
Derzeit befindet sich die EUV-Lithografietechnologie noch in der Entwicklung, wird jedoch voraussichtlich innerhalb weniger Jahre in die Praxis umgesetzt, obwohl die EUV-Lichtquelle, die für die Massenproduktion von integrierten Schaltkreisen verwendet wird, eine wesentliche Verbesserung der Ausgangsleistung und eine hohe Zuverlässigkeit erfordert, die dies ermöglicht ununterbrochener wartungsfreier Betrieb für mehrere Monate.
______________________________________________________________________
ITALIAN | ITALIANO
Cos'è la litografia a ultravioletti estremi (EUV). Questa tecnologia può risolvere i limiti della Legge di Moore in un chip di silicio?
La litografia EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) è una tecnologia che mira a produrre circuiti integrati (come i processori) per risolvere i limiti dei materiali di silicio. Questa tecnologia utilizza una luce ultravioletta con una lunghezza d'onda estremamente corta di 13,5 nm. L'esposizione a questa luce consente la creazione di circuiti integrati inferiori a 20 nanometri (nm) che non possono essere esposti mediante litografia ottica convenzionale utilizzando un laser ad eccimeri ArF.
Tra queste tecnologie elementari, la più grande sfida è la tecnologia che genera un potente raggio di luce EUV con una lunghezza d'onda estremamente corta di 13,5 nm, che può essere rimossa dal plasma ad alta temperatura e alta densità. Esistono due metodi usati per produrre il plasma: il metodo LPP (Laser-Produced Plasma), che produce plasma condensando un forte raggio laser su un materiale, e il metodo Discharge-Produced Plasma (DPP), che produce plasma ad alta corrente che scarica gli elettrodi nell'atmosfera di determinati materiali. Il raggio EUV che lascia il plasma viene raccolto dallo specchio di condensa, passa attraverso un punto chiamato messa a fuoco intermedia (IF) e illumina una maschera di tipo riflesso dopo essere stato rimodellato dall'ottica di illuminazione. Il raggio EUV riflesso dalla maschera è esposto dall'ottica di proiezione per formare un motivo nel fotoresist che è rivestito su una superficie di wafer.
Attualmente, la tecnologia litografica EUV è ancora in fase di sviluppo, ma dovrebbe essere messa in pratica entro pochi anni, anche se la sorgente di luce EUV utilizzata per la produzione di grandi volumi di circuiti integrati richiede un notevole miglioramento della potenza di uscita e un'elevata affidabilità che consente funzionamento ininterrotto senza manutenzione per diversi mesi.
_______________________________________________________________________
RUSSIAN | РУССКИЙ
Что такое экстремальная ультрафиолетовая литография (EUV). Может ли эта технология решить границы закона Мура в кремниевом чипе?
EUV литография (Extreme Ultraviolet Lithography) - это технология, которая нацелена на производство интегральных микросхем (таких как процессоры) для решения пределов кремниевых материалов. Эта технология использует ультрафиолетовое излучение с чрезвычайно короткой длиной волны 13,5 нм. Воздействие этого света позволяет создавать интегральные схемы ниже 20 нанометров (нм), которые не могут быть экспонированы с помощью обычной оптической литографии с использованием эксимерного ArF-лазера.
Среди этих элементарных технологий самой большой проблемой является технология, которая генерирует мощный пучок света EUV с чрезвычайно короткой длиной волны 13,5 нм, который может быть удален из высокотемпературной плазмы высокой плотности. Для получения плазмы используются два метода: метод LPP (лазерная плазма), который создает плазму путем конденсации сильного лазерного луча на материале, и метод плазменного разряда (DPP), который производит плазму под высоким током, который разряжает электроды в атмосферу определенных материалов. Луч EUV, который покидает плазму, собирается зеркалом конденсации, проходит через точку, называемую промежуточной фокусировкой (IF), и освещает маску отражающего типа после того, как ее смоделирует световая оптика. Луч EUV, отраженный маской, экспонируется проекционной оптикой для формирования рисунка в фоторезисте, который нанесен на поверхность пластины.
В настоящее время литографическая технология EUV все еще находится в стадии разработки, но ожидается, что она будет внедрена на практике в течение нескольких лет, хотя источник света EUV, используемый для производства интегральных микросхем в больших объемах, требует значительного улучшения выходной мощности и высокой надежности, что позволяет бесперебойная эксплуатация без технического обслуживания в течение нескольких месяцев.
______________________________________________________________________
CHINESE | 中文
什么是极紫外光刻（EUV）。这项技术可以解决硅芯片中摩尔定律的限制吗？
EUV光刻（极端紫外线光刻）是一种旨在生产集成电路（例如处理器）以解决硅材料限制的技术。这项技术使用13.5 nm的极短波长的紫外线。暴露于此光下，可形成低于20纳米（nm）的集成电路，这些集成电路无法使用准分子ArF激光器通过传统的光刻技术进行曝光。
在这些元件技术中，最大的挑战是产生强大的EUV光束的技术，该光束具有极短的13.5 nm波长，可以从高温高密度等离子体中去除。产生等离子体的方法有两种：LPP（激光产生的等离子体）方法（通过将强激光束会聚在材料上来产生等离子体）和放电产生的等离子体（DPP）方法（通过高电流产生等离子体）产生等离子体。将电极释放到某些材料的大气中。离开等离子体的EUV光束被聚光镜收集，穿过被称为中间焦点（IF）的点，并在被照明光学系统重塑后照亮反射型掩模。被掩模反射的EUV光束被投影光学器件曝光，以在涂覆在晶圆表面的光刻胶中形成图案。
目前，EUV光刻技术仍在开发中，但是尽管用于大规模生产集成电路的EUV光源要求在输出功率和高可靠性方面有重大改进，但仍有望在几年内投入实际使用。连续几个月无需维护。
______________________________________________________________________
JAPANESE | 日本語
Extreme Ultraviolet Lithography（EUV）とは何ですか。このテクノロジーは、シリコンチップにおけるムーアの法則の限界を解決できますか？
EUVリソグラフィ（Extreme Ultraviolet Lithography）は、シリコン材料の限界を解決するために（プロセッサなどの）集積回路を製造することを目的とした技術です。この技術は、13.5 nmという非常に短い波長の紫外光を使用します。この光への露光により、エキシマArFレーザーを使用する従来の光リソグラフィーでは露光できない20ナノメートル（nm）未満の集積回路を作成できます。
これらの要素技術の中で最大の課題は、高温高密度プラズマから除去できる波長13.5 nmという非常に短い強力なEUV光を発生させる技術です。プラズマを生成する方法は2つあります。LPP（Laser-Produced Plasma）方法は、強いレーザービームを材料に凝縮してプラズマを生成する方法と、放電生成プラズマ（DPP）方法は、大電流によってプラズマを生成する方法です。特定の物質の大気中に電極を放電します。プラズマを離れたEUVビームは、集光ミラーによって収集され、中間焦点（IF）と呼ばれる点を通過し、照明光学系によって改造された後、反射型マスクを照明します。マスクによって反射されたEUVビームは、投影光学系によって露光され、ウェーハ表面にコーティングされたフォトレジストにパターンを形成します。
現在、EUVリソグラフィ技術は開発途上ですが、集積回路の量産に使用されるEUV光源には、出力の大幅な向上と信頼性の向上が求められますが、数年以内の実用化が見込まれています。数ヶ月間中断のないメンテナンスフリーの操作。
______________________________________________________________________
ARABIC | عربى
ما هي الطباعة الحجرية فوق البنفسجية المتطرفة (EUV). هل يمكن لهذه التقنية أن تحل حدود قانون مور في رقاقة السيليكون؟
الليثوغرافيا EUV (الطباعة الحجرية فوق البنفسجية المتطرفة) هي تقنية تهدف إلى إنتاج دوائر متكاملة (مثل المعالجات) لحل حدود مواد السيليكون. تستخدم هذه التقنية ضوءًا فوق بنفسجيًا بطول موجي قصير للغاية يبلغ 13.5 نانومتر. يسمح التعرض لهذا الضوء بإنشاء دوائر متكاملة أقل من 20 نانومترًا (نانومتر) لا يمكن كشفها بواسطة الطباعة الحجرية الضوئية التقليدية باستخدام ليزر ArF excimer.
من بين تقنيات العناصر هذه ، يتمثل التحدي الأكبر في التكنولوجيا التي تولد شعاع ضوء EUV قويًا بطول موجي قصير للغاية يبلغ 13.5 نانومتر ، والتي يمكن إزالتها من البلازما عالية الحرارة وعالية الكثافة. هناك طريقتان تستخدمان لإنتاج البلازما: طريقة LPP (البلازما المنتجة بالليزر) ، والتي تنتج البلازما عن طريق تكثيف شعاع ليزر قوي على مادة ، وطريقة البلازما المنتجة التفريغ (DPP) ، والتي تنتج البلازما عن طريق التيار العالي الذي تصريف الأقطاب الكهربائية في الغلاف الجوي لبعض المواد. يتم تجميع شعاع EUV الذي يغادر البلازما بواسطة مرآة التكثيف ، ويمر عبر نقطة تسمى التركيز المتوسط (IF) ويضيء قناعًا من نوع الانعكاس بعد إعادة تشكيله بواسطة بصريات الإضاءة. يتم الكشف عن شعاع EUV المنعكس بواسطة القناع بواسطة بصريات الإسقاط لتشكيل نمط في مقاوم الضوء المطلي على سطح رقاقة.
في الوقت الحالي ، لا تزال تقنية الطباعة الحجرية EUV قيد التطوير ، ولكن من المتوقع أن يتم استخدامها عمليًا في غضون بضع سنوات ، على الرغم من أن مصدر ضوء EUV المستخدم لإنتاج كميات كبيرة من الدوائر المتكاملة يتطلب تحسينًا كبيرًا في طاقة الإخراج والموثوقية العالية التي تسمح عملية صيانة مستمرة بدون انقطاع لعدة أشهر.
______________________________________________________________________
HINDU
एक्सट्रीम अल्ट्रावॉयलेट लिथोग्राफी (EUV) क्या है। क्या यह तकनीक सिलिकॉन चिप में मूर के कानून की सीमाओं को हल कर सकती है?
ईयूवी लिथोग्राफी (एक्सट्रीम अल्ट्रावॉयलेट लिथोग्राफी) एक ऐसी तकनीक है जिसका उद्देश्य सिलिकॉन सामग्री की सीमाओं को हल करने के लिए एकीकृत सर्किट (जैसे प्रोसेसर) का निर्माण करना है। यह तकनीक 13.5 एनएम के एक अत्यंत लघु तरंग दैर्ध्य के पराबैंगनी प्रकाश का उपयोग करती है। इस प्रकाश के संपर्क में 20 नैनोमीटर (एनएम) से नीचे के एकीकृत सर्किट के निर्माण की अनुमति मिलती है, जो एक पारंपरिक आरआईएफ लेजर का उपयोग करके पारंपरिक ऑप्टिकल लिथोग्राफी द्वारा उजागर नहीं किया जा सकता है।
इन तत्व प्रौद्योगिकियों के बीच, सबसे बड़ी चुनौती प्रौद्योगिकी है जो 13.5 एनएम के बेहद कम तरंग दैर्ध्य के साथ एक शक्तिशाली ईयूवी प्रकाश किरण उत्पन्न करती है, जिसे उच्च तापमान, उच्च घनत्व वाले प्लाज्मा से हटाया जा सकता है। प्लाज्मा का उत्पादन करने के लिए दो तरीकों का उपयोग किया जाता है: एलपीपी (लेजर-उत्पादित प्लाज्मा) विधि, जो एक सामग्री पर एक मजबूत लेजर बीम को संघनित करके प्लाज्मा का उत्पादन करती है, और डिस्चार्ज-उत्पादित प्लाज्मा (डीपीपी) विधि, जो उच्च तापमान द्वारा प्लाज्मा का उत्पादन करती है। कुछ सामग्रियों के वातावरण में इलेक्ट्रोड का निर्वहन करता है। EUV बीम कि पत्ते प्लाज्मा संक्षेपण दर्पण से इकट्ठा किया जाता है, एक बिंदु मध्यवर्ती फोकस (IF) कहा जाता है के माध्यम से गुजरता है और प्रकाश प्रकाशिकी द्वारा पुन: बनाया जा रहा है के बाद एक प्रतिबिंब प्रकार मुखौटा उजागर करता है। मुखौटा द्वारा परावर्तित EUV बीम को प्रक्षेपण प्रकाशिकी द्वारा उजागर किया जाता है, जो फोटॉर्फ़िस्ट में एक पैटर्न बनाने के लिए होता है जो एक वफ़र सतह पर लेपित होता है।
वर्तमान में, EUV लिथोग्राफिक प्रौद्योगिकी अभी भी विकास के अधीन है, लेकिन कुछ वर्षों के भीतर व्यावहारिक उपयोग में लाने की उम्मीद है, हालांकि एकीकृत सर्किट के उच्च मात्रा के उत्पादन के लिए उपयोग किए जाने वाले EUV प्रकाश स्रोत को आउटपुट पावर और उच्च विश्वसनीयता में एक बड़े सुधार की आवश्यकता है जो अनुमति देता है कई महीनों तक निर्बाध रखरखाव-रहित संचालन।
______________________________________________________________________
BENGALI
এক্সট্রিম আল্ট্রাভায়োলেট লিথোগ্রাফি (EUV) কী। এই প্রযুক্তিটি কি সিলিকন চিপে মুরের আইনের সীমাবদ্ধতাগুলি সমাধান করতে পারে?
ইইউভি লিথোগ্রাফি (এক্সট্রিম আল্ট্রাভায়োলেট লিথোগ্রাফি) এমন একটি প্রযুক্তি যা সিলিকন উপাদানের সীমা সমাধানের জন্য ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (যেমন প্রসেসর) উত্পাদন করে। এই প্রযুক্তিটি 13.5 এনএম এর অত্যন্ত স্বল্প তরঙ্গ দৈর্ঘ্যের একটি অতিবেগুনী আলো ব্যবহার করে। এই আলোর এক্সপোজারটি 20 ন্যানোমিটার (এনএম) এর নীচে সংহত সার্কিট তৈরি করার অনুমতি দেয় যা একটি এক্সিমার আরএফ লেজার ব্যবহার করে প্রচলিত অপটিক্যাল লিথোগ্রাফি দ্বারা প্রকাশ করা যায় না।
এই উপাদানগুলির মধ্যে, সবচেয়ে বড় চ্যালেঞ্জ হ'ল প্রযুক্তি যা একটি শক্তিশালী EUV হালকা মরীচি তৈরি করে যার একটি অত্যন্ত সংক্ষিপ্ত তরঙ্গ দৈর্ঘ্য 13.5 এনএম, যা উচ্চ-তাপমাত্রা, উচ্চ-ঘনত্বের প্লাজমা থেকে অপসারণ করা যায়। প্লাজমা উত্পাদন করতে দুটি পদ্ধতি ব্যবহার করা হয়: এলপিপি (লেজার-উত্পাদিত প্লাজমা) পদ্ধতি, যা কোনও উপাদানের উপর একটি শক্তিশালী লেজার রশ্মিকে ঘনীভূত করে প্লাজমা উত্পাদন করে এবং স্রাব-উত্পাদিত প্লাজমা (ডিপিপি) পদ্ধতি, যা উচ্চতর বর্তমান দ্বারা প্লাজমা উত্পাদন করে নির্দিষ্ট উপাদানের বায়ুমণ্ডলে বৈদ্যুতিনগুলি স্রাব করে। EUV রশ্মি যা প্লাজমা ছেড়ে দেয় তা ঘনীভবন আয়না দ্বারা সংগ্রহ করা হয়, মধ্যবর্তী ফোকাস (আইএফ) নামক একটি বিন্দু দিয়ে যায় এবং আলোক অপটিক্স দ্বারা পুনঃনির্মাণের পরে একটি প্রতিবিম্ব-ধরণের মুখোশ আলোকিত করে। মুখোশ দ্বারা প্রতিফলিত EUV রশ্মি আলোকোদ্যোগের মধ্যে একটি প্যাটার্ন গঠনের জন্য প্রক্ষেপণ অপটিক্স দ্বারা প্রকাশিত হয় যা একটি ওয়েফার পৃষ্ঠে আবদ্ধ থাকে।
বর্তমানে, ইইউভি লিথোগ্রাফিক প্রযুক্তি এখনও বিকাশের অধীনে রয়েছে, তবে কয়েক বছরের মধ্যে এটি ব্যবহারিক কাজে লাগবে বলে আশা করা হচ্ছে, যদিও ইইউটিভিউ আলোক সংস্থার উচ্চতর পরিমাণের সংহত সার্কিটগুলির উত্পাদনের জন্য ব্যবহৃত হয় আউটপুট শক্তি এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতার একটি বৃহত উন্নতি প্রয়োজন যা অনুমতি দেয় বেশ কয়েক মাস ধরে নিরবচ্ছিন্ন রক্ষণাবেক্ষণ-মুক্ত অপারেশন।
______________________________________________________________________
NETHERLANDS | NEDERLAND
Wat is Extreme Ultraviolet Lithography (EUV). Kan deze technologie de grenzen van de wet van Moore in een siliciumchip oplossen?
EUV-lithografie (Extreme Ultraviolet Lithography) is een technologie die tot doel heeft geïntegreerde schakelingen (zoals processors) te produceren om de grenzen van siliciummaterialen op te lossen. Deze technologie maakt gebruik van ultraviolet licht met een extreem korte golflengte van 13,5 nm. Door blootstelling aan dit licht kunnen geïntegreerde schakelingen van minder dan 20 nanometer (nm) worden gemaakt die niet kunnen worden belicht met conventionele optische lithografie met behulp van een excimer ArF-laser.
Van deze elementtechnologieën is de grootste uitdaging de technologie die een krachtige EUV-lichtbundel genereert met een extreem korte golflengte van 13,5 nm, die kan worden verwijderd uit plasma met hoge temperatuur en hoge dichtheid. Er zijn twee methoden om plasma te produceren: de LPP-methode (Laser-Produced Plasma), die plasma produceert door een sterke laserstraal op een materiaal te condenseren, en de Discharge-Produced Plasma (DPP) -methode, die plasma produceert met een hoge stroom die ontlaadt elektroden in de atmosfeer van bepaalde materialen. De EUV-straal die het plasma verlaat, wordt opgevangen door de condensatiespiegel, gaat door een punt dat tussenliggende focus (IF) wordt genoemd en verlicht een masker van het reflectietype nadat het door de lichtoptiek is verbouwd. De door het masker gereflecteerde EUV-straal wordt door de projectie-optiek belicht om een patroon in de fotolak te vormen dat op een wafeloppervlak is gecoat.
Momenteel is EUV-lithografische technologie nog in ontwikkeling, maar zal naar verwachting binnen enkele jaren in de praktijk worden gebruikt, hoewel de EUV-lichtbron die wordt gebruikt voor de productie van geïntegreerde schakelingen in grote hoeveelheden een grote verbetering van het uitgangsvermogen en een hoge betrouwbaarheid vereist ononderbroken onderhoudsvrije werking gedurende meerdere maanden.
______________________________________________________________________
KOREAN | 한국
극 자외선 리소그래피 (EUV) 란 무엇입니까? 이 기술이 실리콘 칩에서 무어의 법칙의 한계를 해결할 수 있습니까?
EUV 리소그래피 (Extreme Ultraviolet Lithography)는 실리콘 재료의 한계를 해결하기 위해 프로세서와 같은 집적 회로를 생산하는 기술입니다. 이 기술은 13.5nm의 매우 짧은 파장의 자외선을 사용합니다. 이 빛에 노출되면 엑시머 ArF 레이저를 사용하여 기존의 광학 리소그래피에 의해 노출 될 수없는 20 나노 미터 (nm) 미만의 집적 회로를 만들 수 있습니다.
이러한 요소 기술 중 가장 큰 과제는 13.5nm의 매우 짧은 파장으로 강력한 EUV 광선을 생성하는 기술이며, 고온 고밀도 플라즈마에서 제거 할 수 있습니다. 플라즈마를 생성하는 데 사용되는 방법에는 재료에 강한 레이저 빔을 응축시켜 플라즈마를 생성하는 LPP (Laser-Produced Plasma) 방법과 고전류로 플라즈마를 생성하는 DPP (Discharge-Produced Plasma) 방법이 있습니다. 전극을 특정 물질의 대기로 방출합니다. 플라즈마를 떠나는 EUV 빔은 응축 미러에 의해 수집되고, 중간 초점 (IF)이라는 지점을 통과하고 조명 광학 장치에 의해 리모델링 된 후 반사 형 마스크를 조명합니다. 마스크에 의해 반사 된 EUV 빔은 투영 광학계에 의해 노출되어 웨이퍼 표면 상에 코팅 된 포토 레지스트에 패턴을 형성한다.
현재 EUV 리소그래피 기술은 아직 개발 중이지만, 집적 회로의 대량 생산에 사용되는 EUV 광원은 출력 전력의 대폭적인 개선과 높은 신뢰성을 요구하지만 몇 년 이내에 실용화 될 것으로 예상됩니다. 몇 달 동안 중단없는 유지 보수가 필요없는 작동.
______________________________________________________________________
GREEK | Ελληνικά
Τι είναι η ακραία υπεριώδης λιθογραφία (EUV). Μπορεί αυτή η τεχνολογία να λύσει τα όρια του Νόμου του Μουρ σε ένα τσιπ σιλικόνης;
Η λιθογραφία EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) είναι μια τεχνολογία που στοχεύει στην παραγωγή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων (όπως επεξεργαστές) για την επίλυση των ορίων των υλικών πυριτίου. Αυτή η τεχνολογία χρησιμοποιεί ένα υπεριώδες φως εξαιρετικά μικρού μήκους κύματος 13,5 nm. Η έκθεση σε αυτό το φως επιτρέπει τη δημιουργία ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κάτω των 20 νανομέτρων (nm) που δεν μπορούν να εκτεθούν με συμβατική οπτική λιθογραφία χρησιμοποιώντας ένα excimer ArF laser.
Μεταξύ αυτών των τεχνολογιών στοιχείων, η μεγαλύτερη πρόκληση είναι η τεχνολογία που παράγει μια ισχυρή δέσμη φωτός EUV με εξαιρετικά μικρό μήκος κύματος 13,5 nm, η οποία μπορεί να αφαιρεθεί από πλάσμα υψηλής θερμοκρασίας και υψηλής πυκνότητας. Υπάρχουν δύο μέθοδοι που χρησιμοποιούνται για την παραγωγή πλάσματος: η μέθοδος LPP (Laser-Produced Plasma), η οποία παράγει πλάσμα με συμπύκνωση ισχυρής δέσμης λέιζερ σε ένα υλικό και η μέθοδος Discharge-Produced Plasma (DPP), η οποία παράγει πλάσμα με υψηλό ρεύμα που αποβάλλει ηλεκτρόδια στην ατμόσφαιρα ορισμένων υλικών. Η δέσμη EUV που φεύγει από το πλάσμα συλλέγεται από τον καθρέφτη συμπύκνωσης, διέρχεται από ένα σημείο που ονομάζεται ενδιάμεση εστίαση (IF) και φωτίζει μια μάσκα τύπου αντανάκλασης αφού αναδιαμορφωθεί από τα οπτικά φωτισμού. Η ακτίνα EUV που αντανακλάται από τη μάσκα εκτίθεται από τα οπτικά προβολής για να σχηματίσει ένα σχέδιο στο φωτοανθεκτικό που είναι επικαλυμμένο σε μια επιφάνεια γκοφρέτας.
Επί του παρόντος, η λιθογραφική τεχνολογία EUV βρίσκεται ακόμη υπό ανάπτυξη, αλλά αναμένεται να τεθεί σε πρακτική χρήση μέσα σε λίγα χρόνια, αν και η πηγή φωτός EUV που χρησιμοποιείται για παραγωγή μεγάλων όγκων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων απαιτεί σημαντική βελτίωση στην ισχύ εξόδου και υψηλή αξιοπιστία που επιτρέπει αδιάκοπη λειτουργία χωρίς συντήρηση για αρκετούς μήνες.
______________________________________________________________________
ROMANIA | ROMÂNIA
Ce este litografia ultravioletă extremă (EUV). Poate această tehnologie să rezolve limitele Legii lui Moore într-un cip de siliciu?
Litografia EUV (litografia ultravioletă extremă) este o tehnologie care își propune să producă circuite integrate (cum ar fi procesoare) pentru a rezolva limitele materialelor de siliciu. Această tehnologie utilizează o lumină ultravioletă cu o lungime de undă extrem de scurtă de 13,5 nm. Expunerea la această lumină permite crearea de circuite integrate sub 20 nanometri (nm) care nu pot fi expuse prin litografie optică convențională folosind un laser ArF excimer.
Printre aceste tehnologii elementare, cea mai mare provocare o reprezintă tehnologia care generează un fascicul puternic de lumină EUV cu o lungime de undă extrem de scurtă de 13,5 nm, care poate fi îndepărtată de plasma cu temperatură înaltă, cu densitate ridicată. Există două metode utilizate pentru producerea plasmei: metoda LPP (Laser-Produse Plasma), care produce plasmă prin condensarea unui fascicul laser puternic pe un material, și metoda Plasma produsă cu descărcare (DPP), care produce plasmă printr-un curent ridicat care descarcă electrozii în atmosfera anumitor materiale. Fasciculul EUV care iese din plasmă este colectat de oglinda de condensare, trece printr-un punct numit focar intermediar (IF) și luminează o mască de reflexie după ce a fost remodelat de optica de iluminat. Fasciculul EUV reflectat de mască este expus de optica de proiecție pentru a forma un model în fotorezistorul care este acoperit pe o suprafață a plafonului.
În prezent, tehnologia litografică EUV este încă în curs de dezvoltare, dar este de așteptat să fie utilizată practic în câțiva ani, deși sursa de lumină EUV folosită pentru producția de volum mare a circuitelor integrate necesită o îmbunătățire majoră a puterii de ieșire și fiabilitate ridicată care permite funcționare fără întreținere fără întreținere timp de câteva luni.
______________________________________________________________________
TURKISH | TÜRK
Aşırı Ultraviyole Litografi (EUV) nedir. Bu teknoloji bir silikon çipte Moore Yasası'nın sınırlarını çözebilir mi?
EUV litografi (Aşırı Ultraviyole Litografi), silikon malzemelerin sınırlarını çözmek için entegre devreler (işlemciler gibi) üretmeyi amaçlayan bir teknolojidir. Bu teknoloji, 13.5 nm dalga boyunda ultraviyole ışık kullanır. Bu ışığa maruz kalma, bir excimer ArF lazeri kullanılarak geleneksel optik litografi ile maruz bırakılamayan 20 nanometrenin (nm) altında entegre devrelerin oluşturulmasına izin verir.
Bu element teknolojileri arasında en büyük zorluk, 13.5 nm dalga boyuna sahip, yüksek sıcaklıkta, yüksek yoğunluklu plazmadan çıkarılabilen güçlü bir EUV ışık demeti üreten teknolojidir. Plazma üretmek için kullanılan iki yöntem vardır: bir malzeme üzerinde güçlü bir lazer ışını yoğunlaştırarak plazma üreten LPP (Lazer Üretimli Plazma) yöntemi ve yüksek akım ile plazma üreten Deşarj Üretimli Plazma (DPP) yöntemi elektrotları belirli malzemelerin atmosferine boşaltır. Plazmadan çıkan EUV ışını yoğunlaşma aynası tarafından toplanır, ara odak (IF) adı verilen bir noktadan geçer ve aydınlatma optiği tarafından yeniden şekillendirildikten sonra yansıma tipi bir maskeyi aydınlatır. Maske tarafından yansıtılan EUV ışını, bir gofret yüzeyi üzerine kaplanan fotorezistte bir desen oluşturmak üzere projeksiyon optikleri tarafından maruz bırakılır.
Şu anda, EUV litografik teknolojisi hala geliştirilme aşamasındadır, ancak entegre devrelerin yüksek hacimli üretimi için kullanılan EUV ışık kaynağının çıkış gücünde ve izin veren yüksek güvenilirlikte büyük bir iyileştirme gerektirmesine rağmen, birkaç yıl içinde pratik kullanıma girmesi beklenmektedir. birkaç ay boyunca kesintisiz bakım gerektirmeyen çalışma.
______________________________________________________________________
UKRAINIAN | УКРАЇНСЬКИЙ
Що таке екстремальна ультрафіолетова літографія (EUV). Чи може ця технологія вирішити межі Закону Мура в кремнієвому чіпі?
Літографія EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) - це технологія, яка спрямована на виробництво інтегральних мікросхем (таких як процесори) для вирішення меж кремнієвих матеріалів. Ця технологія використовує ультрафіолетове світло надзвичайно короткої довжини хвилі 13,5 нм. Опромінення цього світла дозволяє створювати інтегральні схеми нижче 20 нанометрів (нм), які не піддаються впливу звичайної оптичної літографії за допомогою ексимерного лазера ArF.
Серед цих елементів елементів найбільшим викликом є технологія, яка генерує потужний промінь світла EUV з надзвичайно короткою довжиною хвилі 13,5 нм, який можна видалити з плазми високої температури та високої щільності. Для отримання плазми застосовуються два методи: метод LPP (лазерна плазма), який виробляє плазму шляхом конденсації сильного лазерного променя на матеріалі, і метод плазми, що виробляється розрядом (DPP), який виробляє плазму сильним струмом, який розряджає електроди в атмосферу певних матеріалів. Промінь EUV, який виходить з плазми, збирається дзеркалом конденсації, проходить через точку, яку називають проміжним фокусом (ПЧ), і освітлює маску типу відбиття після того, як буде переобладнана освітлювальною оптикою. Промінь EUV, відбитий маскою, піддається проекційній оптиці, щоб утворити малюнок у фоторезисті, нанесеному на поверхню пластин.
В даний час літографічна технологія EUV все ще перебуває на стадії розробки, але, як очікується, вона буде використана на практиці протягом декількох років, хоча джерело світла EUV, що використовується для виробництва великої кількості інтегральних мікросхем, потребує значного покращення вихідної потужності та високої надійності, що дозволяє безперебійна експлуатація протягом декількох місяців.
fonte: https://www.gigaphoton.com/en/technology/euv-topics/what-is-euv-lithopgraphy
______________________________________________________________________
English: What is Extreme Ultraviolet Lithography
Arabic: ما هي الطباعة الحجرية الشديدة للأشعة فوق البنفسجية
Bulgarian: Какво е екстремна ултравиолетова литография
Chinese Simplified: 什么是极紫外光刻
Chinese Traditional: 什麼是極紫外光刻
Croatian: Što je ekstremna ultraljubičasta litografija
Czech: Co je extrémní ultrafialová litografie
Danish: Hvad er ekstrem ultraviolet litografi
Dutch: Wat is extreme ultraviolette lithografie
Esperanto: Kio estas Ekstrema Ultraviola Litografio
Estonian: Mis on ultraviolettkiirte litograafia
Finnish: Mikä on äärimmäinen ultravioletti litografia
French: Qu'est-ce que la lithographie ultraviolette extrême
German: Was ist extreme ultraviolette Lithographie?
Greek: Τι είναι η ακραία υπεριώδης λιθογραφία
Hebrew: מהי ליטוגרפיה אולטרה סגולה קיצונית
Indonesian: Apa itu Extreme Ultraviolet Lithography
Italian: Cos'è la litografia ultravioletta estrema
Japanese: 極端紫外線リソグラフィーとは
Korean: 극 자외선 리소그래피 란?
Latvian: Kas ir galējā ultravioletā litogrāfija
Lithuanian: Kas yra kraštutinė ultravioletinė litografija
Norwegian: Hva er ekstrem ultrafiolett litografi
Polish: Co to jest litografia ekstremalnego ultrafioletu
Portuguese: O que é litografia ultravioleta extrema
Romanian: Ce este litografia ultraviolete extreme
Russian: Что такое экстремальная ультрафиолетовая литография
Serbian: Шта је екстремна ултраљубичаста литографија
Slovak: Čo je extrémna ultrafialová litografia
Slovenian: Kaj je ekstremna ultravijolična litografija
Spanish: ¿Qué es la litografía ultravioleta extrema?
Swedish: Vad är extrem ultraviolett litografi
Tajik: Литографияи ниҳоии ултрабунафш чист
Thai: ภาพพิมพ์หินรังสีอัลตราไวโอเลตเอ็กซ์ตรีมคืออะไร
Turkish: Aşırı Ultraviyole Litografi Nedir?
Ukrainian: Що таке екстремальна ультрафіолетова літографія
Vietnamese: In thạch bản cực tím là gì
